AM都涉及非易失性存储技术，但它们在实现方式和应用方面有一些区别。它们的共同点有以下这两点：
非易失性存储：无论是NVSRAM还是NVRAM，它们都具有非易失性存储特性，即在断电的情况下能够保持数据的完整性。这使它们适用于需要长期数据保存的应用。
随机访问：无论是NVSRAM还是NVRAM，它们都具有随机访问存储的能力，类似于传统的RAM。这在某种程度上预示着数据的读写操作可以在不同地址之间随机进行。
NVSRAM：非易失性静态随机访问存储器（NVSRAM）结合了SRAM（静态随机访问存储器）和非易失性存储技术。它在存储单元中使用了存储电荷的技术，使得即使在断电的情况下，数据仍旧能被保持。
NVRAM：非易失性随机访问存储器（NVRAM）是一种以非易失性特性为基础的随机访问存储器。它能够正常的使用不同的技术，如磁性RAM（MRAM）或相变存储器（PCM），以实现非易失性的数据存储。
NVSRAM：由于其快速读写操作和数据持久性，NVSRAM在需要高速、非易失性存储的应用中得到普遍应用，如工业自动化通信设施和航空航天。
NVRAM：NVRAM的应用更广泛，涵盖了各种需要非易失性存储的领域。它可以在存储器层面提供更高的灵活性，因为它能够使用不同的存储技术来实现非易失性。
NVSRAM：由于其基于SRAM技术，NVSRAM有很快速的读写操作，但通常容量较小，适用于需要高速操作和持久性存储的特定应用。
NVRAM：不一样的NVRAM可能具有不一样的速度和容量特点。一些NVRAM技术可能在速度方面不如NVSRAM，但具有更大的存储容量。
虽然NVSRAM和NVRAM在某些方面有重叠，但它们的实现方式和应用重点使它们在不同场景中发挥不同的作用。选择其中之一取决于具体的应用需求，包括数据速度、容量、可靠性等。